1b나노 공정 LPDDR5X 양산 돌입···1c 기반 DDR5도 대기
하반기 HBM4 12단 양산 예정···HBM 점유율 60% 상회 전망
[시사저널e=고명훈 기자] SK하이닉스가 최선단 공정을 적용한 고성능 메모리 라인업을 확대하고 인공지능(AI) 서버 시장 공략을 강화한다. 지난해 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 DDR5 개발을 완료한 데 이어, 10나노급 5세대(1b) 공정 기반의 LPDDR5X 양산에도 돌입해 서버향 수요에 대응할 계획이다.
SK하이닉스가 지난 19일 공시한 사업보고서에 따르면 지난해 세계 최초 1c나노 선단 공정을 기반으로 한 16Gb(기가바이트) 용량의 DDR5 개발을 완료했다. 이전 세대인 1b나노 공정 대비 생산성은 30% 이상 향상됐으며, 동작 속도는 8Gbps로 11% 빨라졌다. 극자외선(EUV) 노광 공정에 적합한 특수 신소재를 개발해 적용하고, 해당 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했단 설명이다.
전력효율은 9% 이상 개선됐다. 회사는 이를 데이터센터에 실제 적용할 시 전력 비용을 최대 30%까지 줄일 수 있다고 전했다.
작년 10월부턴 1b나노 기반의 16Gb LPDDR5 제품 양산도 시작했다. AI향 서버 시장 확장에 대응하기 위해 회사가 지난 6월 개발한 LPDDRX 기반의 제품이다. 이전 세대 대비 동작 속도는 약 10% 향상됐으며, 전력효율은 최대 15%까지 절감했다.
SK하이닉스는 이를 모듈 형태의 신규 폼팩터인 SOCAMM과 LPCAMM 형태로 제작해 AI 서버 및 PC 시장을 공략할 계획이다. SOCAMM은 저전력 D램인 LPDDRX를 기반으로 한 AI 서버 특화 메모리 모듈로, 새로운 AI 서버용 메모리 표준으로 주목받는 제품이다. 회사는 이달 21일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 ‘GTC 2025’에 참가해 전시 부스를 꾸리고, 해당 제품을 공개하기도 했다.
특히, 올해 AI 서버 시장에서 고대역폭메모리(HBM)의 높은 성장세가 이어질 것으로 전망되는 가운데, SK하이닉스는 지난해 5세대 제품인 HBM3E 12단을 최초 양산한 데 이어 올 하반기 HBM4(6세대) 12단 제품도 경쟁사 대비 가장 먼저 양산에 들어갈 것으로 예상된다.
SK하이닉스는 최근 HBM4 시제품을 고객사에 공급하기 시작했다고 밝혔다. 전작인 HBM3E 대비 대역폭이 60% 이상 개선된 제품으로, 초당 2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 12단 기준 최고 용량인 36GB(기가바이트)를 구현했다.
SK하이닉스는 지난 2022년 HBM3(4세대)를 시작으로 지난해 HBM3E 8, 12단도 업계 최초 양산에 성공하면서 글로벌 HBM 시장을 선도하고 있단 평가다. 반도체업계에 따르면 지난해 SK하이닉스의 글로벌 HBM 시장 점유율은 50% 이상에 달한 것으로 추정된다.
김운호 IBK투자증권 연구원은 “SK하이닉스는 HBM3E 8단과 12단을 주력으로 공급하고 있고, 연말엔 HBM4도 출시할 전망이다. 2025년 HBM 시장 내 점유율은 60%를 상회할 것으로 예상한다”며, “이와 함께 프로세싱이 지원되는 메모리 모듈에 대한 개발도 적극적”이라고 분석했다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 전체 서버 시장은 3060억 달러(약 449조 7862억원)로, 이중 AI 서버는 2050억달러(약 301조8888억원)로 67%의 비중을 차지했다. 올해 AI 서버 시장은 AI 반도체의 평균판매가격(ASP) 상승효과로 이보다 45.4% 더 성장한 2980억달러(약 438조3546억원)에 이를 것으로 예상된다. 전체 서버 시장에서의 비중도 72%까지 확대될 전망이다.