3.6Gbps 속도로 초당 460GB 데이터 처리
인공지능(AI)·슈퍼컴퓨터 등 수요 공략
SK하이닉스가 초고속D램 ‘HBM2E’ 양산을 시작한다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발에 성공한 이후 10개월 만이다.
HBM은 기존 D램과 비교해 데이터 처리 속도를 끌어 올린 고대역폭 메모리다. 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능하다. 1024개 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460GB 데이터를 처리할 수 있다. 이는 3.7GB 용량 풀HD급 영화 124편을 1초에 전달하는 수준이다. 현존하는 D램 중 가장 처리 속도가 빠르다는 것이 회사 측 설명이다.
여기에 신제품은 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB 용량을 구현했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다. 기존에 사용된 패키지 방식들보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어든다.
SK하이닉스는 HBM2E를 앞세워 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기나 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 시장을 공략한다. 이밖에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템) 시장을 노린다.
오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다”며 “이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.