메모리 반도체 초격차 위한 공격적 투자 예고···기술 개발 박차
반도체 매출 1위는 TSMC에게 역전될 듯···"메모리 업황 악화 결정적"
[시사저널e=염현아 기자] 글로벌 메모리 반도체 시장의 한파가 지속되는 가운데, 삼성전자가 올해 2분기 메모리 시장 점유율 1위를 유지했다. 삼성전자는 공격적인 투자로 첨단 기술 선점에 나설 전망이다.
16일 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 D램 시장 점유율은 43.4%로 세계 1위를 지켰다. 삼성전자의 D램 시장 점유율은 지난해 4분기 41.9%에서 올 1분기 42.7%, 2분기 43.4%로 2개 분기 연속 커졌다.
삼성에 이어 D램 분야 2위는 SK하이닉스가 차지했다. 28.1%의 점유율로 1분기(27.1%)보다 1%포인트 상승했다. 이어 미국의 마이크론이 23.6%로 3위에 올랐다. 마이크론의 시장점유율은 1분기(24.8%)보다 1.2%포인트 하락했다.
삼성전자는 낸드플래시 시장에서도 1위 자리를 지켰다. 다만 2분기 낸드 시장 점유율은 1분기(35.5%)보다 2.2%포인트 하락한 33.3%였다. SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 20.4%로 2위, 일본 키옥시아(16.0%), 미국 웨스턴디지털과 마이크론(각각 13.0%) 등 순이었다.
글로벌 경기 침체에 따른 수요 위축 여파로 현재 D램과 낸드플래시 가격 하락세가 이어지고 있지만, 업계는 삼성전자가 당분간 메모리 시장에서 1위를 유지할 것으로 내다봤다.
삼성전자는 메모리 반도체 초격차 유지를 위한 기술 개발에도 속도를 내고 있다. 이달 5일(현지시각)에는 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 2023년 5세대 10나노(1㎚는 10억분의 1ｍ)급 D램을, 오는 2024년엔 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.
특히 업계 최초로 양산 계획을 밝힌 5세대 10나노급 D램이 주목을 받았다. 삼성전자는 반도체 안의 회로 간격(선폭)을 10나노까지 좁게 만든다는 계획이다. 선폭이 좁을수록 반도체 크기가 작아지면서 소비 전력은 줄고 속도는 빨라진다.
다만, 세계 반도체 매출 1위는 파운드리 분야 1위 업체인 TSMC에게 돌아갈 전망이다. 메모리 가격 하락 영향이 컸다는 분석이다.
TSMC는 최근 실적발표를 통해 올해 3분기 매출액이 작년 동기보다 48% 늘어난 6131억4000만 대만 달러(약 27조5000억원)로 집계됐다고 밝혔다. 증권가에서 추산하는 3분기 삼성전자 DS(반도체) 부문 매출은 TSMC보다 적은 24조∼25조원대다.
삼성전자는 지난해 메모리 반도체 호황에 힘입어 반도체 매출에서 인텔을 제치고 세계 1위에 올랐으나, 급격한 업황 악화로 TSMC에 역전을 당할 것으로 예상된다.