미국 플래시 메모리 서밋에서 차세대 V낸드 솔루션 공개
메모리반도체의 핵심인 낸드플래시 부문에서 세계 점유율 1위인 삼성전자가 독주체제를 가속화하는 모양새다. 새로운 기술을 연이어 선보이면서 후발주자와의 차별성을 부각시키고 있기 때문이다. 낸드플래시는 인공지능(AI)과 빅데이터 등 4차산업혁명 시대의 핵심으로 떠오른 반도체다.
9일 관련업계에 따르면 앞서 8일에 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017 (Flash Memory Summit)’에서 삼성전자가 세계 최대용량 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 공개했다. 플래시 메모리 서밋은 매해 미국서 열리는 세계 초대 플래시 메모리 업계 컨퍼런스다. 올해는 8일부터 10일까지 진행 예정이다.
삼성전자는 서밋에서 세계 최대 용량의 1Tb V낸드와 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD, 기존 SSD 성능을 향상시 Z-SSD, 신개념 데이터 저장방식을 적용한 Key Value SSD 등 V낸드 기반 신기술을 여러 개 선보였다.
1Tb V낸드의 경우 3차원 셀(Cell) 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 게 특장점이다. 1Tb 낸드는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있다. 이 덕에 SSD의 용량을 늘리는 게 가능하다. 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 계획이다.
또 삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 NGSFF SSD도 발표했다. 삼성전자 설명에 따르면 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.
이날 서밋에서 삼성전자는 16TB NGSFF SSD 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다. 2U 시스템으로 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다는 게 삼성전자 설명이다. 삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산할 계획이다.
삼성전자는 Z-SSD의 경우 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이라고 설명했다. 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다는 뜻이다.
삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 Key Value SSD도 선보였다. 기존 SSD의 경우 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있다. 하지만 Key Value SSD 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있다. 이 덕에 시스템의 데이터 입출력 속도를 높이면서 SSD의 수명도 향상 시킬 수 있다.
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것” 이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작했다. 올해에는 4세대 V낸드를 양산하면서 시장 지배력을 높여왔다. D램 익스체인지에 따르면 1분기 기준 글로벌 낸드플래시 시장에서 삼성전자는 점유율 35.4%로 부동의 1위다.
삼성전자는 최근 낸드 투자규모를 늘리며 후발주자와의 격차를 더욱 벌리려 하고 있다. 업계서는 평택공장 추가 투자와 중국 시안 공장 증설이 완료되면 삼성전자가 낸드플래시 점유율을 10% 이상 끌어올릴 수 있으리라 보고 있다.