2세대 대비 생산성 27%↑·전력 소비 ↓
SK하이닉스가 삼성전자에 이어 10나노급(1z) D램 반도체 개발에 성공했다. 지난해 11월 2세대 10나노급(10y나노) D램 개발에 성공한 지 약 11개월만이다.
21일 SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. SK하이닉스 1z 나노 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 생산성도 2세대(1y) 제품 대비 약 27% 향상됐다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
특히 이번 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다. 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다. 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이 생산해 원가 경쟁력도 높인 점도 특징이다. 앞서 지난 3월 1z나노 D램 개발에 성공한 삼성전자 역시 EUV 노광 공정 없이 생산하며 경쟁력을 끌어올렸다.
이정훈 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 계획이다.