SK하이닉스, 낸드 300단 이상 고지 선점···2025년 상반기 양산

[시사저널e=고명훈 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최고층에 달하는 321단 4D 낸드플래시 샘플을 공개하며 삼성전자와 마이크론을 제치고 300단 이상 고지를 먼저 선점했다. 지난해 8월 238단 낸드플래시 개발을 알린 뒤 1년만에 300단을 돌파한 것으로, SK하이닉스는 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획이다.

8일(현지시간) SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개막한 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’에서 321단 4D 낸드 개발 경과를 발표하고, 개발 단계의 샘플을 전시했다고 밝혔다.

해당 제품은 하나의 셀에 3비트 데이터를 쓸 수 있는 TCL(Triple Level Cell) 낸드로, 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트)로 구현됐다. 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 제품 대비 생산성이 59% 높아졌다.

메모리 업계에서 낸드플래시는 한정된 면적 안에서 최대한 많은 데이터를 담아야 하므로 셀을 쌓아 용량을 늘리는 적층 기술이 중요시된다. 더 높은 단수로 적층할수록 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량도 더 늘어나는 것이다.

SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중”이라며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 당사는 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 지난해 11월 236단 이상 제품으로 추정되는 8세대 V낸드 양산을 시작했으며, 내년 9세대 V낸드 양산에 이어 2030년까지 1000단 수준의 제품을 개발하겠다는 목표를 내세웠다. 미국의 마이크론 역시 지난해 232단 낸드 양산을 본격화했고, 내년 이후 300단 이상의 7세대 제품 개발을 준비 중인 것으로 전해졌다.