'반도체 비전 2030' 후속 조치...내년 하반기 가동
기흥·화성에 이어 평택까지 파운드리 라인 구축···5나노 이하 주력 생산

삼성전자 평택캠퍼스 사진 / 사진=삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스 사진 / 사진=삼성전자

삼성전자가 경기도 평택캠퍼스에 두 번째 극자외선(EUV) 공정 생산 라인을 구축한다. 7나노 이하 초미세 공정 제품 생산 규모를 확대하기 위해서다.

21일 삼성전자는 이달 평택 파운드리 생산라인 공사에 착수했으며 내년 하반기 본격 가동할 계획이라고 밝혔다. 5나노 제품은 올 하반기 화성 생산라인에서 먼저 양산하고 내년 평택 파운드리 라인이 만들어지면 여기서 주력으로 생산할 계획이다. 

앞서 이 회사는 지난해부터 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작했다. 이어 올해 첫 EUV 전용 라인 화성 V1을 구축하고 가동을 시작하는 등 초미세 공정 생산 규모를 확대하는 중이다. 이어 내년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 생산 규모는 보다 확대된다. 삼성전자는 이 같은 생산 체제를 통해 모바일, HPC AI 등 첨단 반도체 위탁생산 수요에 대응할 계획이다.

이번 투자는 삼성전자가 지난해 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치다. 삼성전자는 시스템 반도체 분야 전세계 1위를 달성하기 위해 2030년까지 133조원을 투자하기로 했다. 삼성전자는 파운드리 시장에서 20% 수준의 점유율을 확보한 2위 사업자로, 50% 수준의 점유율을 확보한 1위 대만 TSMC 고객사 선점 경쟁 중이다.  

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며, "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.

 

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