삼성전자, D램까지 EUV 적용···모듈 100만개 공급

삼성전자가 업계 최초 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 D램 양산에 성공했다.  

삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급하고 글로벌 고객사 평가를 완료했다고 25일 밝혔다. 

EUV 노광 기술은 파장의 길이가 짧은 EUV 광원을 사용해 웨이퍼에 더 얇은 회로를 그릴 수 있는 기술이다. EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이고 패터닝 정확도를 높일 수 있다. 성능과 수율을 향상하고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다. 

삼성전자는 내년 EUV 공정을 적용한 차세대 D램 제품 양산에 돌입할 계획이다. 현재 EUV 공정 기반 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발 중이다. EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높다. 삼성전자는 내년 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 기업들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것"이라고 말했다.