업계 유일 512GB eUFS 3.1 본격 양산
풀HD 영화 4초만에 저장

eUFS_UFS3.1 /사진=삼성전자
삼성전자 스마트폰 내장 메모리 '512GB eUFS 3.1' /사진=삼성전자

 

삼성전자가 전작 대비 데이터 저장 속도를 3배 향상한 스마트폰 내장 메모리 '512GB eUFS 3.1'을 양산한다고 17일 밝혔다.

신제품은 연속 쓰기 속도가 초당 1200메가바이트(MB)에 달한다. 지난해 2월 출시한 512GB eUFS 3.0 대비 약 3배 빠르다. SATA SSD를 탑재한 PC와 비교하면 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 보다는 10배 이상 빠른 수준이다. 5GB 용량의 풀HD 영화 1편도 약 4초만에 저장할 수 있다.

신제품의 연속 읽기 속도는 초당 2100MB를 기록했다. 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 전작 대비 1.6배 빠른10만 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 1.03배 빠른 7만 IOPS다. 임의 읽기·쓰기 속도는 스토리지 메모리와 기기 간 초당 데이터 입출력 횟수를 말한다. 

이에 따라 신형 내장 메모리를 탑재한 스마트폰은 8K 초고화질 영상이나 수 백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있다. 100GB 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 경우 기존 eUFS 3.0 메모리가 탑재된 스마트폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만 신제품이 탑재된 스마트폰은 약 1분 30초면 충분하다.

신제품은 512GB, 256GB, 128GB 등 세 가지 용량으로 구성된다. 플래그십 스마트폰부터 하이엔드 스마트폰까지 공급을 목표한다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다"며 "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산 중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작한다. 

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