2030년까지 R&D 73조원, 생산시설 60조원 총 133조원 투자, 1만5000명 채용
화성 EUV 라인·신규 라인 등 파운드리 투자 지속 추진
국내 중소 반도체업체 협력 통해 국가 시스템 반도체 산업생태계 강화

삼성전자 클린룸 반도체 생산현장 / 사진=삼성전자
삼성전자 클린룸 반도체 생산현장 / 사진=삼성전자

 

삼성전자가 메모리 반도체에 편중된 사업 구조를 개선하기 위해 오는 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발(R&D) 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하기로 했다. 메모리 반도체 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 전세계 1위를 달성하겠다는 목표다.

24일 삼성전자는 ‘반도체 비전 2030’을 발표하며 오는 2030년까지 파운드리 및 시스템LSI 사업 분야에 133조원을 투자하겠다고 밝혔다. 국내 연구개발(R&D) 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원 등이다.

또 오는 2030년까지 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만5000명을 채용할 계획이다. 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 시설투자가 집행될 경우, 생산량이 늘면서 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 회사 측은 예상했다. 

아울러 삼성전자는 중소 반도체 업체와의 협력도 강화할 방침이다. 국내 중소 팹리스에 인터페이스 설계자산(IP), 아날로그 IP, 시큐리티 IP 등 삼성전자가 개발한 IP를 지원할 계획이다. 삼성전자가 개발한 설계‧불량 분석 툴 및 소프트웨어 등도 지원한다.

삼성전자 관계자는 “소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는데 어려움이 있었다”고 설명했다.

이 같은 어려움을 해소하기 위해 삼성전자는 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화할 방침이다. 이를 통해 국내 중소 팹리스 업체의 소량제품 생산을 적극 지원할 방침이다. 또 삼성전자는 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 프로그램을 공정당 연 2~3회로 확대 운영하고 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대할 계획이다. 

이 같은 전략은 메모리 반도체에 편중된 수익 구조를 쇄신하기 위한 전략으로 풀이된다. 삼성전자 영업실적은 주력 제품인 메모리 반도체 가격 등락에 따라 흔들렸다. 삼성전자의 지난 1분기 영업실적은 매출액 52조원, 영업이익 6조2000억원으로 집계되며, 시장 전망치를 하회했다. 영업이익의 경우 전년 동기 대비 60.4%나 감소했다. 같은 기간 D램 고정거래가(8Gb DDR4 기준)는 올해 1월 6달러에서 2월 5.13달러, 3월 4.56달러로 매월 하락했다. 낸드 플래시(128Gb MLC 기준) 역시 지난달 4.11달러를 기록해, 전월보다 2.6% 하락했다. 

이에 삼성전자는 최근 파운드리 사업 투자 의향을 지속적으로 밝혀왔다. 이달 초 삼성전자는 파운드리 부문에서 5나노 공정 개발에 성공했으며, 이달 중으로 7나노 제품을 출하하고 6나노 공정 기반 제품을 연내 양산하겠다고 발표한 바 있다. 향후 화성캠퍼스 신규 극자외선(EUV)라인을 활용해 생산량을 증대하고 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획도 밝혔다.

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