2세대 양산 16개월 만···내년 DDR5, LPDDR5 등에 적용
삼성전자가 3세대 10나노급(1z) 차세대 D램 개발에 성공했다. 올 하반기 평택공장에서 양산을 시작할 예정이다.
21일 삼성전자는 세계 최초 3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) DDR4 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 지난 2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램 양산을 시작한 지 약 16개월 만이다.
이번 개발 제품은 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 속도 증가로 전력 효율도 개선했다.
삼성전자 관계자는 “3세대 10나노급(1z) D램 기반의 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 이로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다”고 설명했다.
이 제품은 올 하반기 본격 양산된다. 내년엔 성능과 용량을 동시에 제고한 DDR5, LPDDR5 등 차세대 D램을 본격 공급한다. 삼성전자 관계자는 "글로벌 주요 고객들과 시스템 개발 단계부터 적극적으로 협력해 차세대 라인업으로 시장을 빠르게 전환해 나갈 것"이라고 설명했다.
이와 함께 삼성전자는 글로벌 주요 고객사들의 공급 요구 수준에 맞춰 경기도 평택 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속적으로 확대하기로 했다. 내년엔 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영해 평택 생산라인에 안정적인 양산 체제를 구축한다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 D램 기술 개발로 차세대 제품군을 적기 출시하게 됐다“면서 "향후 프리미엄 D램 제품군을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시, 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세를 이끌어 나갈 것”이라고 강조했다.